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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-matriciBYV541V-200
BYV541V-200 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BYV541V-200 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
BYV541V-200
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-BYV541V-200
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE MODULE 200V 50A ISOTOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
ISOTOP
Scheda dati
BYV54V, BYV541V.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4470

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche BYV541V-200
Specifiche tecniche STMicroelectronics - BYV541V-200, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - BYV541V-200

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 850 mV @ 50 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 200 V  
Tecnologia Standard  
Contenitore dispositivo fornitore ISOTOP®  
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Tempo di ripristino inverso (trr) 60 ns  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro ISOTOP  
Pacchetto Tube  
Temperatura di funzionamento - Giunzione 150°C (Max)  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Configurazione diodo 2 Independent  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 50 µA @ 200 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 50A  
Numero di prodotto di base BYV541  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics BYV541V-200

Proprietà del prodotto BYV541V-200 BYV430K-300PQ BYV52-200 BYV54V-200
Modello di prodotti BYV541V-200 BYV430K-300PQ BYV52-200 BYV54V-200
fabbricante STMicroelectronics WeEn Semiconductors STMicroelectronics STMicroelectronics
Tipo montaggio Chassis Mount Through Hole Through Hole Chassis Mount
Contenitore / involucro ISOTOP TO-3P-3, SC-65-3 TO-218-3 ISOTOP
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Serie - - - -
Numero di prodotto di base BYV541 BYV430 BYV52 BYV54V
Temperatura di funzionamento - Giunzione 150°C (Max) 175°C (Max) -40°C ~ 150°C -
Contenitore dispositivo fornitore ISOTOP® TO-3P SOT-93 ISOTOP®
Corrente - Dispersione inversa a Vr 50 µA @ 200 V 10 µA @ 300 V 25 µA @ 200 V 50 µA @ 200 V
Tecnologia Standard Standard Standard Standard
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 850 mV @ 50 A 1.25 V @ 30 A 850 mV @ 20 A 850 mV @ 50 A
Configurazione diodo 2 Independent 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 2 Independent
Tensione - inversa (Vr) (max) 200 V 300 V 200 V 200 V
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 50A 30A 30A 50A
Tempo di ripristino inverso (trr) 60 ns 55 ns 50 ns 60 ns

BYV541V-200 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BYV541V-200 PDF e la documentazione STMicroelectronics per BYV541V-200 - STMicroelectronics.

Schede tecniche
BYV54V, BYV541V.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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