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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSUP90P06-09L-E3
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SUP90P06-09L-E3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SUP90P06-09L-E3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SUP90P06-09L-E3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 60V 90A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
SUP90P06-09L-E3.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 11035

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SUP90P06-09L-E3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SUP90P06-09L-E3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SUP90P06-09L-E3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB  
Serie TrenchFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 9.3mOhm @ 30A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.4W (Ta), 250W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9200 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 90A (Tc)  
Numero di prodotto di base SUP90  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SUP90P06-09L-E3

Proprietà del prodotto SUP90P06-09L-E3 SUP90N15-18P-E3 SUP90N08-7M7P-E3 SUP90N08-6M8P-E3
Modello di prodotti SUP90P06-09L-E3 SUP90N15-18P-E3 SUP90N08-7M7P-E3 SUP90N08-6M8P-E3
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9200 pF @ 25 V 4180 pF @ 75 V 4250 pF @ 30 V 4620 pF @ 30 V
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 150 V 75 V 75 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 105 nC @ 10 V 115 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 2.4W (Ta), 250W (Tc) 3.75W (Ta), 375W (Tc) 3.75W (Ta), 208.3W (Tc) 3.75W (Ta), 272W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 90A (Tc) 90A (Tc) 90A (Tc) 90A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (max) a Id, Vgs 9.3mOhm @ 30A, 10V 18mOhm @ 20A, 10V 7.7mOhm @ 20A, 10V 6.8mOhm @ 20A, 10V
Numero di prodotto di base SUP90 SUP90 SUP90 SUP90

SUP90P06-09L-E3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SUP90P06-09L-E3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SUP90P06-09L-E3 - Vishay Siliconix.

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