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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSUP90N08-6M8P-E3
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SUP90N08-6M8P-E3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SUP90N08-6M8P-E3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SUP90N08-6M8P-E3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 75V 90A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
SUP90N08-6M8P.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5230

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SUP90N08-6M8P-E3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SUP90N08-6M8P-E3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SUP90N08-6M8P-E3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB  
Serie TrenchFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 6.8mOhm @ 20A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.75W (Ta), 272W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4620 pF @ 30 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 115 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 75 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 90A (Tc)  
Numero di prodotto di base SUP90  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SUP90N08-6M8P-E3

Proprietà del prodotto SUP90N08-6M8P-E3 SUP90N08-7M7P-E3 SUP90N06-5M0P-E3 SUP90N06-6M0P-E3
Modello di prodotti SUP90N08-6M8P-E3 SUP90N08-7M7P-E3 SUP90N06-5M0P-E3 SUP90N06-6M0P-E3
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4620 pF @ 30 V 4250 pF @ 30 V 6190 pF @ 30 V 4700 pF @ 30 V
Numero di prodotto di base SUP90 SUP90 SUP90 SUP90
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 75 V 75 V 60 V 60 V
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 115 nC @ 10 V 105 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 90A (Tc) 90A (Tc) 90A (Tc) 90A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (max) a Id, Vgs 6.8mOhm @ 20A, 10V 7.7mOhm @ 20A, 10V 5mOhm @ 20A, 10V 6mOhm @ 20A, 10V
Pacchetto Tube Tube Strip Tube
Dissipazione di potenza (max) 3.75W (Ta), 272W (Tc) 3.75W (Ta), 208.3W (Tc) 3.75W (Ta), 300W (Tc) 3.75W (Ta), 272W (Tc)
Caratteristica FET - - - -

SUP90N08-6M8P-E3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SUP90N08-6M8P-E3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SUP90N08-6M8P-E3 - Vishay Siliconix.

Altri documenti correlati
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PCN Obsolescence/ EOL
SIL-0632014 16/Apr/2014.pdf
Schede tecniche
SUP90N08-6M8P.pdf

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