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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciSQ1539EH-T1_GE3
SQ1539EH-T1_GE3 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SQ1539EH-T1_GE3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SQ1539EH-T1_GE3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SQ1539EH-T1_GE3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N/P-CH 30V POWERPAKSC70-6
Descrizione dettagliata
Pacchetto
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Scheda dati
SQ1539EH.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 170930

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SQ1539EH-T1_GE3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SQ1539EH-T1_GE3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SQ1539EH-T1_GE3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 2.6V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PowerPAK® SC-70-6 Dual  
Serie TrenchFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 280mOhm @ 1A, 10V, 940mOhm @ 500mA, 10V  
Potenza - Max 1.5W  
Contenitore / involucro PowerPAK® SC-70-6 Dual  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 48pF @ 15V, 50pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.4nC @ 4.5V, 1.6nC @ 4.5V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 850mA (Tc)  
Configurazione N and P-Channel  
Numero di prodotto di base SQ1539  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SQ1539EH-T1_GE3

Proprietà del prodotto SQ1539EH-T1_GE3 SQ1912AEEH-T1_GE3 SQ1420EEH-T1-GE3 SQ125-L
Modello di prodotti SQ1539EH-T1_GE3 SQ1912AEEH-T1_GE3 SQ1420EEH-T1-GE3 SQ125-L
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix SQ
Rds On (max) a Id, Vgs 280mOhm @ 1A, 10V, 940mOhm @ 500mA, 10V 280mOhm @ 1.2A, 4.5V 140mOhm @ 1.2A, 10V -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 850mA (Tc) 800mA (Tc) 1.6A (Tc) -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 48pF @ 15V, 50pF @ 15V 27pF @ 10V 215 pF @ 25 V -
Tensione drain-source (Vdss) 30V 20V 60 V -
Potenza - Max 1.5W 1.5W - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.4nC @ 4.5V, 1.6nC @ 4.5V 1.25nC @ 4.5V 4 nC @ 4.5 V -
Vgs (th) (max) a Id 2.6V @ 250µA 1.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA -
Serie TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) -
Contenitore dispositivo fornitore PowerPAK® SC-70-6 Dual SC-70-6 SC-70-6 -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -
Numero di prodotto di base SQ1539 SQ1912 SQ1420 -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Configurazione N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) - -
Contenitore / involucro PowerPAK® SC-70-6 Dual 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 -
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -

SQ1539EH-T1_GE3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SQ1539EH-T1_GE3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SQ1539EH-T1_GE3 - Vishay Siliconix.

Schede tecniche
SQ1539EH.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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