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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSQ1431EH-T1_GE3
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SQ1431EH-T1_GE3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SQ1431EH-T1_GE3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SQ1431EH-T1_GE3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 30V 3A SC70-6
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Scheda dati
SQ1431EH.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 132680

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Specifiche

Specifiche tecnologiche SQ1431EH-T1_GE3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SQ1431EH-T1_GE3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SQ1431EH-T1_GE3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SC-70-6  
Serie TrenchFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 175mOhm @ 2A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3W (Tc)  
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 205 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.5 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Tc)  
Numero di prodotto di base SQ1431  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SQ1431EH-T1_GE3

Proprietà del prodotto SQ1431EH-T1_GE3 SQ1420EEH-T1-GE3 SQ1470AEH-T1_GE3 SQ1470EH-T1-GE3
Modello di prodotti SQ1431EH-T1_GE3 SQ1420EEH-T1-GE3 SQ1470AEH-T1_GE3 SQ1470EH-T1-GE3
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±20V - ±12V -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ) -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie TrenchFET® - Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® -
Dissipazione di potenza (max) 3W (Tc) - 3.3W (Tc) -
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2.5V @ 250µA 1.6V @ 250µA 1.6V @ 250µA
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.5 nC @ 4.5 V 4 nC @ 4.5 V 5.2 nC @ 4.5 V 6.6 nC @ 4.5 V
Contenitore dispositivo fornitore SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Tc) 1.6A (Tc) 1.7A (Tc) 2.8A (Tc)
Numero di prodotto di base SQ1431 SQ1420 SQ1470 SQ1470
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V - 2.5V, 4.5V -
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 175mOhm @ 2A, 10V 140mOhm @ 1.2A, 10V 65mOhm @ 4.2A, 4.5V 65mOhm @ 3.8A, 4.5V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 205 pF @ 25 V 215 pF @ 25 V 450 pF @ 15 V 610 pF @ 25 V
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 60 V 30 V 30 V

SQ1431EH-T1_GE3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SQ1431EH-T1_GE3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SQ1431EH-T1_GE3 - Vishay Siliconix.

Assemblaggio/origine PCN
SIL-040-2014-Rev-3 22/Sep/2014.pdf
Schede tecniche
SQ1431EH.pdf
PCN Design/Specifica
SQ1431EH Datasheet Chg 02/Dec/2015.pdf

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