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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciSI7946DP-T1-E3
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SI7946DP-T1-E3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SI7946DP-T1-E3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SI7946DP-T1-E3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8
Descrizione dettagliata
Pacchetto
PowerPAK® SO-8 Dual
Scheda dati
SI7946DP.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5270

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SI7946DP-T1-E3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SI7946DP-T1-E3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SI7946DP-T1-E3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8 Dual  
Serie TrenchFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 150mOhm @ 3.3A, 10V  
Potenza - Max 1.4W  
Contenitore / involucro PowerPAK® SO-8 Dual  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 150V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.1A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base SI7946  

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Proprietà del prodotto SI7946DP-T1-E3 SI7942DP-T1-GE3 SI7956DP-T1-GE3 SI7945DP-T1-GE3
Modello di prodotti SI7946DP-T1-E3 SI7942DP-T1-GE3 SI7956DP-T1-GE3 SI7945DP-T1-GE3
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Numero di prodotto di base SI7946 SI7942 SI7956 SI7945
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 150mOhm @ 3.3A, 10V 49mOhm @ 5.9A, 10V 105mOhm @ 4.1A, 10V 20mOhm @ 10.9A, 10V
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.1A 3.8A 2.6A 7A
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss) 150V 100V 150V 30V
Contenitore dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA
Potenza - Max 1.4W 1.4W 1.4W 1.4W
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V 24nC @ 10V 26nC @ 10V 74nC @ 10V

SI7946DP-T1-E3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SI7946DP-T1-E3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SI7946DP-T1-E3 - Vishay Siliconix.

PCN Obsolescence/ EOL
PCN- SIL-0582013 05/Dec/2013.pdf
Schede tecniche
SI7946DP.pdf

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Europa Germania 5
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