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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciSI6953DQ
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SI6953DQ - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
SI6953DQ
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-SI6953DQ
Modello ECAD
Descrizione delle parti
P-CHANNEL MOSFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Scheda dati
SI6953DQ.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 126640

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SI6953DQ
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - SI6953DQ, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - SI6953DQ

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-TSSOP  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 170mOhm @ 1.9A, 10V  
Potenza - Max 600mW (Ta)  
Contenitore / involucro 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 218pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.9A (Ta)  
Configurazione 2 P-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base SI6953  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor SI6953DQ

Proprietà del prodotto SI6953DQ SI6954ADQ-T1-E3 SI6943BDQ-T1-GE3 SI6955ADQ-T1-E3
Modello di prodotti SI6953DQ SI6954ADQ-T1-E3 SI6943BDQ-T1-GE3 SI6955ADQ-T1-E3
fabbricante Fairchild Semiconductor Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Caratteristica FET - Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 218pF @ 10V - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 170mOhm @ 1.9A, 10V 53mOhm @ 3.4A, 10V 80mOhm @ 2.5A, 4.5V 80mOhm @ 2.9A, 10V
Configurazione 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V 16nC @ 10V 10nC @ 4.5V 8nC @ 5V
Potenza - Max 600mW (Ta) 830mW 800mW 830mW
Tensione drain-source (Vdss) 20V 30V 12V 30V
Contenitore / involucro 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.9A (Ta) 3.1A 2.3A 2.5A
Serie PowerTrench® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Numero di prodotto di base SI6953 SI6954 SI6943 SI6955
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 1V @ 250µA (Min) 800mV @ 250µA 1V @ 250µA (Min)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore dispositivo fornitore 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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