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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciSI6924AEDQ-T1-E3
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SI6924AEDQ-T1-E3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SI6924AEDQ-T1-E3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SI6924AEDQ-T1-E3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8-TSSOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Scheda dati
SI6924AEDQ.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5290

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SI6924AEDQ-T1-E3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SI6924AEDQ-T1-E3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SI6924AEDQ-T1-E3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-TSSOP  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 33mOhm @ 4.6A, 4.5V  
Potenza - Max 1W  
Contenitore / involucro 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 28V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.1A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual) Common Drain  
Numero di prodotto di base SI6924  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SI6924AEDQ-T1-E3

Proprietà del prodotto SI6924AEDQ-T1-E3 SI6926ADQ-T1-E3 SI6913DQ-T1-E3 SI6925ADQ-T1-E3
Modello di prodotti SI6924AEDQ-T1-E3 SI6926ADQ-T1-E3 SI6913DQ-T1-E3 SI6925ADQ-T1-E3
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Numero di prodotto di base SI6924 SI6926 SI6913 SI6925
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Configurazione 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Potenza - Max 1W 830mW 830mW 800mW
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V 10.5nC @ 4.5V 28nC @ 4.5V 6nC @ 4.5V
Contenitore dispositivo fornitore 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie - - TrenchFET® -
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA 900mV @ 400µA 1.8V @ 250µA
Contenitore / involucro 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.1A 4.1A 4.9A 3.3A
Rds On (max) a Id, Vgs 33mOhm @ 4.6A, 4.5V 30mOhm @ 4.5A, 4.5V 21mOhm @ 5.8A, 4.5V 45mOhm @ 3.9A, 4.5V
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss) 28V 20V 12V 20V

SI6924AEDQ-T1-E3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SI6924AEDQ-T1-E3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SI6924AEDQ-T1-E3 - Vishay Siliconix.

Informazioni ambientali
Material Compliance.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
PCN- SIL-0582013 05/Dec/2013.pdf
Schede tecniche
SI6924AEDQ.pdf

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