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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciSI6913DQ-T1-E3
SI6913DQ-T1-E3 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SI6913DQ-T1-E3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SI6913DQ-T1-E3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SI6913DQ-T1-E3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Scheda dati
SI6913DQ.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 33071

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SI6913DQ-T1-E3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SI6913DQ-T1-E3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SI6913DQ-T1-E3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 900mV @ 400µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-TSSOP  
Serie TrenchFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 21mOhm @ 5.8A, 4.5V  
Potenza - Max 830mW  
Contenitore / involucro 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 12V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.9A  
Configurazione 2 P-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base SI6913  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SI6913DQ-T1-E3

Proprietà del prodotto SI6913DQ-T1-E3 SI6913DQ-T1-GE3 SI6924AEDQ-T1-E3 SI6880AEDQ-T1-E3
Modello di prodotti SI6913DQ-T1-E3 SI6913DQ-T1-GE3 SI6924AEDQ-T1-E3 SI6880AEDQ-T1-E3
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Electro-Films (EFI) / Vishay
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate -
Rds On (max) a Id, Vgs 21mOhm @ 5.8A, 4.5V 21mOhm @ 5.8A, 4.5V 33mOhm @ 4.6A, 4.5V -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Numero di prodotto di base SI6913 SI6913 SI6924 -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Potenza - Max 830mW 830mW 1W -
Contenitore / involucro 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) -
Configurazione 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) Common Drain -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 4.5V 28nC @ 4.5V 10nC @ 4.5V -
Contenitore dispositivo fornitore 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP -
Serie TrenchFET® TrenchFET® - -
Vgs (th) (max) a Id 900mV @ 400µA 900mV @ 400µA 1.5V @ 250µA -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.9A 4.9A 4.1A -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 12V 12V 28V -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -

SI6913DQ-T1-E3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SI6913DQ-T1-E3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SI6913DQ-T1-E3 - Vishay Siliconix.

Informazioni ambientali
Material Compliance.pdf
PCN Design/Specifica
Epoxy Materials 07/Jan/2022.pdf
Schede tecniche
SI6913DQ.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Vishay Siliconix
32D-SI6913DQ-T1-E3

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