Specifiche
Specifiche tecnologiche SI4348DY-T1-E3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SI4348DY-T1-E3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SI4348DY-T1-E3
| Proprietà del prodotto |
Valori degli attributi
| |
| fabbricante |
Vishay / Siliconix |
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| Vgs (th) (max) a Id |
2V @ 250µA |
|
| Vgs (Max) |
±12V |
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| Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
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| Contenitore dispositivo fornitore |
8-SOIC |
|
| Serie |
TrenchFET® |
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| Rds On (max) a Id, Vgs |
12.5mOhm @ 11A, 10V |
|
| Dissipazione di potenza (max) |
1.31W (Ta) |
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| Contenitore / involucro |
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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| Pacchetto |
Tape & Reel (TR) |
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| Proprietà del prodotto |
Valori degli attributi
| |
| temperatura di esercizio |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
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| Tipo montaggio |
Surface Mount |
|
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs |
23 nC @ 4.5 V |
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| Tipo FET |
N-Channel |
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| Caratteristica FET |
- |
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| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) |
4.5V, 10V |
|
| Tensione drain-source (Vdss) |
30 V |
|
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C |
8A (Ta) |
|
| Numero di prodotto di base |
SI4348 |
|
Metodo di spedizione
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| Paesi comuni Riferimento del tempo logistico |
| Regione |
Paese |
Tempo logistico (giorno) |
| America |
stati Uniti |
5 |
| Brasile |
7 |
| Europa |
Germania |
5 |
| Regno Unito |
4 |
| Italia |
5 |
| Oceania |
Australia |
6 |
| Nuova Zelanda |
5 |
| Asia |
India |
4 |
| Giappone |
4 |
| Medio Oriente |
Israele |
6 |
| DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento |
| Accuse di spedizione (kg) |
Riferimento DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Nota:
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SI4340DY-T1SI
SI4355-C2A-GMRSilicon LabsRF RX FSK/GFSK 284-350MHZ 20QFN
SI4355-C2A-GMEnergy Micro (Silicon Labs)IC RCVR EZRADIO SUB GHZ 20QFN
SI434DY-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay
SI4340DY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 20V 7.3A 14SO
SI4355-B1A-FMEnergy Micro (Silicon Labs)IC EZRADIO FM RECEIVER SI4355