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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciSI4340DY-T1-E3
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SI4340DY-T1-E3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SI4340DY-T1-E3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SI4340DY-T1-E3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 20V 7.3A 14SO
Descrizione dettagliata
Pacchetto
14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
SI4340DY.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4670

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Specifiche

Specifiche tecnologiche SI4340DY-T1-E3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SI4340DY-T1-E3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SI4340DY-T1-E3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 14-SOIC  
Serie TrenchFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 12mOhm @ 9.6A, 10V  
Potenza - Max 1.14W, 1.43W  
Contenitore / involucro 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.3A, 9.9A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base SI4340  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SI4340DY-T1-E3

Proprietà del prodotto SI4340DY-T1-E3 SI4340CDY-T1-E3 SI4346DY-T1-GE3 SI4340DY
Modello di prodotti SI4340DY-T1-E3 SI4340CDY-T1-E3 SI4346DY-T1-GE3 SI4340DY
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Electro-Films (EFI) / Vishay
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) - -
Rds On (max) a Id, Vgs 12mOhm @ 9.6A, 10V 9.4mOhm @ 11.5A, 10V 23mOhm @ 8A, 10V -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V 32nC @ 10V 10 nC @ 4.5 V -
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate - -
Tensione drain-source (Vdss) 20V 20V 30 V -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - 1300pF @ 10V - -
Contenitore dispositivo fornitore 14-SOIC 14-SOIC 8-SOIC -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.3A, 9.9A 14.1A, 20A 5.9A (Ta) -
Numero di prodotto di base SI4340 SI4340 SI4346 -
Contenitore / involucro 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® -
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 3V @ 250µA 2V @ 250µA -
Potenza - Max 1.14W, 1.43W 3W, 5.4W - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -

SI4340DY-T1-E3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SI4340DY-T1-E3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SI4340DY-T1-E3 - Vishay Siliconix.

Schede tecniche
SI4340DY.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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