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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciSI3905DV-T1-E3
SI3905DV-T1-E3 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SI3905DV-T1-E3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SI3905DV-T1-E3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SI3905DV-T1-E3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Scheda dati
SI3905DV.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5310

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SI3905DV-T1-E3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SI3905DV-T1-E3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SI3905DV-T1-E3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 450mV @ 250µA (Min)  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 6-TSOP  
Serie TrenchFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 125mOhm @ 2.5A, 4.5V  
Potenza - Max 1.15W  
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 8V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C -  
Configurazione 2 P-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base SI3905  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SI3905DV-T1-E3

Proprietà del prodotto SI3905DV-T1-E3 SI3909DV-T1-E3 SI3900DV-T1-E3 SI3900DV-T1-GE3
Modello di prodotti SI3905DV-T1-E3 SI3909DV-T1-E3 SI3900DV-T1-E3 SI3900DV-T1-GE3
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V 4nC @ 4.5V 4nC @ 4.5V 4nC @ 4.5V
Vgs (th) (max) a Id 450mV @ 250µA (Min) 500mV @ 250µA (Min) 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Tensione drain-source (Vdss) 8V 20V 20V 20V
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C - - 2A 2A
Contenitore dispositivo fornitore 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Configurazione 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Numero di prodotto di base SI3905 SI3909 SI3900 SI3900
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Potenza - Max 1.15W 1.15W 830mW 830mW
Rds On (max) a Id, Vgs 125mOhm @ 2.5A, 4.5V 200mOhm @ 1.8A, 4.5V 125mOhm @ 2.4A, 4.5V 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate

SI3905DV-T1-E3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SI3905DV-T1-E3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SI3905DV-T1-E3 - Vishay Siliconix.

Schede tecniche
SI3905DV.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
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Vishay Siliconix
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