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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSI3879DV-T1-E3
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SI3879DV-T1-E3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SI3879DV-T1-E3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SI3879DV-T1-E3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Scheda dati
SI3879DV.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5050

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SI3879DV-T1-E3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SI3879DV-T1-E3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SI3879DV-T1-E3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 6-TSOP  
Serie LITTLE FOOT®  
Rds On (max) a Id, Vgs 70mOhm @ 3.5A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 3.3W (Tc)  
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 480 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14.5 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5A (Tc)  
Numero di prodotto di base SI3879  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SI3879DV-T1-E3

Proprietà del prodotto SI3879DV-T1-E3 SI3867DV-T1-E3 SI3867DV-T1-GE3 SI3865DV-T1-E3
Modello di prodotti SI3879DV-T1-E3 SI3867DV-T1-E3 SI3867DV-T1-GE3 SI3865DV-T1-E3
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Electro-Films (EFI) / Vishay
Serie LITTLE FOOT® TrenchFET® TrenchFET® -
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V -
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel -
Rds On (max) a Id, Vgs 70mOhm @ 3.5A, 4.5V 51mOhm @ 5.1A, 4.5V 51mOhm @ 5.1A, 4.5V -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14.5 nC @ 10 V 11 nC @ 4.5 V 11 nC @ 4.5 V -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 -
Vgs (Max) ±12V ±12V ±12V -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5A (Tc) 3.9A (Ta) 3.9A (Ta) -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 480 pF @ 10 V - - -
Contenitore dispositivo fornitore 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP -
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA 1.4V @ 250µA 1.4V @ 250µA -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Numero di prodotto di base SI3879 SI3867 SI3867 -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 3.3W (Tc) 1.1W (Ta) 1.1W (Ta) -

SI3879DV-T1-E3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SI3879DV-T1-E3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SI3879DV-T1-E3 - Vishay Siliconix.

Schede tecniche
SI3879DV.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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