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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciSI1557DH-T1-E3
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SI1557DH-T1-E3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SI1557DH-T1-E3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SI1557DH-T1-E3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N/P-CH 12V 1.2A SC70-6
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Scheda dati
SI1557DH-T1-E3.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4760

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Specifiche

Specifiche tecnologiche SI1557DH-T1-E3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SI1557DH-T1-E3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SI1557DH-T1-E3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 100µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SC-70-6  
Serie TrenchFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 235mOhm @ 1.2A, 4.5V  
Potenza - Max 470mW  
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.2nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 12V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.2A, 770mA  
Configurazione N and P-Channel  
Numero di prodotto di base SI1557  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SI1557DH-T1-E3

Proprietà del prodotto SI1557DH-T1-E3 SI1563DH-T1-GE3 SI1555DL-T1-E3 SI1553DL-T1-E3
Modello di prodotti SI1557DH-T1-E3 SI1563DH-T1-GE3 SI1555DL-T1-E3 SI1553DL-T1-E3
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 100µA 1V @ 100µA 1.4V @ 250µA 600mV @ 250µA (Min)
Rds On (max) a Id, Vgs 235mOhm @ 1.2A, 4.5V 280mOhm @ 1.13A, 4.5V 385mOhm @ 660mA, 4.5V 385mOhm @ 660mA, 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.2nC @ 4.5V 2nC @ 4.5V 1.2nC @ 4.5V 1.2nC @ 4.5V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.2A, 770mA 1.13A, 880mA 660mA, 570mA 660mA, 410mA
Tensione drain-source (Vdss) 12V 20V 20V, 8V 20V
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numero di prodotto di base SI1557 SI1563 SI1555 SI1553
Configurazione N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel
Contenitore dispositivo fornitore SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Potenza - Max 470mW 570mW 270mW 270mW

SI1557DH-T1-E3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SI1557DH-T1-E3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SI1557DH-T1-E3 - Vishay Siliconix.

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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