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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciSI1028X-T1-GE3
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SI1028X-T1-GE3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SI1028X-T1-GE3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SI1028X-T1-GE3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 30V SC89-6
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-563, SOT-666
Scheda dati
SI1028X-T1-GE3.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3600

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SI1028X-T1-GE3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SI1028X-T1-GE3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SI1028X-T1-GE3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SC-89 (SOT-563F)  
Serie TrenchFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 650mOhm @ 500mA, 10V  
Potenza - Max 220mW  
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 16pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C -  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base SI1028  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SI1028X-T1-GE3

Proprietà del prodotto SI1028X-T1-GE3 SI1026X-T1-GE3 SI1024X-T1-GE3 SI1025X-T1-E3
Modello di prodotti SI1028X-T1-GE3 SI1026X-T1-GE3 SI1024X-T1-GE3 SI1025X-T1-E3
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Rds On (max) a Id, Vgs 650mOhm @ 500mA, 10V 1.4Ohm @ 500mA, 10V 700mOhm @ 600mA, 4.5V 4Ohm @ 500mA, 10V
Contenitore dispositivo fornitore SC-89 (SOT-563F) SC-89 (SOT-563F) SC-89 (SOT-563F) SC-89 (SOT-563F)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 10V 0.6nC @ 4.5V 0.75nC @ 4.5V 1.7nC @ 15V
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C - 305mA 485mA 190mA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666
Tensione drain-source (Vdss) 30V 60V 20V 60V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numero di prodotto di base SI1028 SI1026 SI1024 SI1025
Potenza - Max 220mW 250mW 250mW 250mW
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie TrenchFET® - TrenchFET® TrenchFET®
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 16pF @ 15V 30pF @ 25V - 23pF @ 25V
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 900mV @ 250µA 3V @ 250µA

SI1028X-T1-GE3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SI1028X-T1-GE3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SI1028X-T1-GE3 - Vishay Siliconix.

Informazioni ambientali
Material Compliance.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Mosfet EOL 30/Aug/2018.pdf
Schede tecniche
SI1028X-T1-GE3.pdf

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Europa Germania 5
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