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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciSI1026X-T1-E3
SI1026X-T1-E3 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SI1026X-T1-E3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SI1026X-T1-E3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SI1026X-T1-E3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563F
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-563, SOT-666
Scheda dati
Si1026X.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5010

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Specifiche

Specifiche tecnologiche SI1026X-T1-E3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SI1026X-T1-E3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SI1026X-T1-E3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SC-89 (SOT-563F)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.4Ohm @ 500mA, 10V  
Potenza - Max 250mW  
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.6nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 60V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 305mA  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base SI1026  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SI1026X-T1-E3

Proprietà del prodotto SI1026X-T1-E3 SI1025X-T1-GE3 SI1028X-T1-GE3 SI1024X-T1-GE3
Modello di prodotti SI1026X-T1-E3 SI1025X-T1-GE3 SI1028X-T1-GE3 SI1024X-T1-GE3
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 1.4Ohm @ 500mA, 10V 4Ohm @ 500mA, 10V 650mOhm @ 500mA, 10V 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Contenitore dispositivo fornitore SC-89 (SOT-563F) SC-89 (SOT-563F) SC-89 (SOT-563F) SC-89 (SOT-563F)
Tensione drain-source (Vdss) 60V 60V 30V 20V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 900mV @ 250µA
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 25V 23pF @ 25V 16pF @ 15V -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.6nC @ 4.5V 1.7nC @ 15V 2nC @ 10V 0.75nC @ 4.5V
Potenza - Max 250mW 250mW 220mW 250mW
Numero di prodotto di base SI1026 SI1025 SI1028 SI1024
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 305mA 190mA - 485mA
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

SI1026X-T1-E3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SI1026X-T1-E3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SI1026X-T1-E3 - Vishay Siliconix.

Informazioni ambientali
Material Compliance.pdf
Schede tecniche
Si1026X.pdf

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America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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