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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRLZ44S
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRLZ44S - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
IRLZ44S
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-IRLZ44S
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRLZ44S.pdf
In magazzino: 4710

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRLZ44S
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - IRLZ44S, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - IRLZ44S

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 28mOhm @ 31A, 5V  
Dissipazione di potenza (max) 3.7W (Ta), 150W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3300 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRLZ44  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix IRLZ44S

Proprietà del prodotto IRLZ44S IRLZ44ZL IRLZ44ZLPBF IRLZ44Z
Modello di prodotti IRLZ44S IRLZ44ZL IRLZ44ZLPBF IRLZ44Z
fabbricante Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (Max) ±10V ±16V ±16V ±16V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 28mOhm @ 31A, 5V 13.5mOhm @ 31A, 10V 13.5mOhm @ 31A, 10V 13.5mOhm @ 31A, 10V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc) 51A (Tc) 51A (Tc) 51A (Tc)
Serie - HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-220-3
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 5 V 36 nC @ 5 V 36 nC @ 5 V 36 nC @ 5 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Through Hole Through Hole
Numero di prodotto di base IRLZ44 - - -
Dissipazione di potenza (max) 3.7W (Ta), 150W (Tc) 80W (Tc) 80W (Tc) 80W (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263) TO-262 TO-262 TO-220AB
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 55 V 55 V 55 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3300 pF @ 25 V 1620 pF @ 25 V 1620 pF @ 25 V 1620 pF @ 25 V

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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