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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRLZ44Z
IRLZ44Z Image
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IRLZ44Z - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRLZ44Z
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRLZ44Z
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
IRLZ44Z.pdf
In magazzino: 4110

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRLZ44Z
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRLZ44Z, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRLZ44Z

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 13.5mOhm @ 31A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 80W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1620 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 55 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 51A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRLZ44Z

Proprietà del prodotto IRLZ44Z IRLZ44SPBF IRLZ44ZS IRLZ44STRR
Modello di prodotti IRLZ44Z IRLZ44SPBF IRLZ44ZS IRLZ44STRR
fabbricante Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 2V @ 250µA 3V @ 250µA 2V @ 250µA
Dissipazione di potenza (max) 80W (Tc) 3.7W (Ta), 150W (Tc) 80W (Tc) 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1620 pF @ 25 V 3300 pF @ 25 V 1620 pF @ 25 V 3300 pF @ 25 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 51A (Tc) 50A (Tc) 51A (Tc) 50A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4V, 5V 4.5V, 10V 4V, 5V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 5 V 66 nC @ 5 V 36 nC @ 5 V 66 nC @ 5 V
Serie HEXFET® - HEXFET® -
Pacchetto Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Rds On (max) a Id, Vgs 13.5mOhm @ 31A, 10V 28mOhm @ 31A, 5V 13.5mOhm @ 31A, 10V 28mOhm @ 31A, 5V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB D²PAK (TO-263) D2PAK D²PAK (TO-263)
Tensione drain-source (Vdss) 55 V 60 V 55 V 60 V
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V ±10V ±16V ±10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount

IRLZ44Z Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRLZ44Z PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRLZ44Z - Infineon Technologies.

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Europa Germania 5
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Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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