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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRLIZ14G
IRLIZ14G Image
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IRLIZ14G - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
IRLIZ14G
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-IRLIZ14G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 8A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Scheda dati
IRLIZ14G.pdf
In magazzino: 4950

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRLIZ14G
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - IRLIZ14G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - IRLIZ14G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 200mOhm @ 4.8A, 5V  
Dissipazione di potenza (max) 27W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.4 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRLIZ14  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix IRLIZ14G

Proprietà del prodotto IRLIZ14G IRLI620G IRLIZ34N IRLI540NPBF
Modello di prodotti IRLIZ14G IRLI620G IRLIZ34N IRLI540NPBF
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies International Rectifier
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 200 V 55 V 100 V
Vgs (Max) ±10V ±10V ±16V ±16V
Pacchetto Tube Tube Tube Bulk
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V 360 pF @ 25 V 880 pF @ 25 V 1800 pF @ 25 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.4 nC @ 5 V 16 nC @ 10 V 25 nC @ 5 V 74 nC @ 5 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Tc) 4A (Tc) 22A (Tc) 23A (Tc)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Dissipazione di potenza (max) 27W (Tc) 30W (Tc) 37W (Tc) 54W (Tc)
Serie - - HEXFET® HEXFET®
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 4V, 5V 4V, 10V 4V, 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 200mOhm @ 4.8A, 5V 800mOhm @ 2.4A, 5V 35mOhm @ 12A, 10V 44mOhm @ 12A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 PG-TO220-FP TO-220AB Full-Pak
Numero di prodotto di base IRLIZ14 IRLI620 - -

IRLIZ14G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRLIZ14G PDF e la documentazione Vishay Siliconix per IRLIZ14G - Vishay Siliconix.

Schede tecniche
IRLIZ14G.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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