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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRLIB9343PBF
IRLIB9343PBF Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRLIB9343PBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRLIB9343PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRLIB9343PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 55V 14A TO220AB FP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati
IRLIB9343PBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5420

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRLIB9343PBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRLIB9343PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRLIB9343PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB Full-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 105mOhm @ 3.4A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 33W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 660 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 47 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 55 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Tc)  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRLIB9343PBF

Proprietà del prodotto IRLIB9343PBF IRLI540NPBF IRLIZ14GPBF IRLI620GPBF
Modello di prodotti IRLIB9343PBF IRLI540NPBF IRLIZ14GPBF IRLI620GPBF
fabbricante Infineon Technologies International Rectifier Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Serie HEXFET® HEXFET® - -
Vgs (Max) ±20V ±16V ±10V ±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 660 pF @ 50 V 1800 pF @ 25 V 400 pF @ 25 V 360 pF @ 25 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4V, 10V 4V, 5V 4V, 5V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 47 nC @ 10 V 74 nC @ 5 V 8.4 nC @ 5 V 16 nC @ 10 V
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 105mOhm @ 3.4A, 10V 44mOhm @ 12A, 10V 200mOhm @ 4.8A, 5V 800mOhm @ 2.4A, 5V
Tensione drain-source (Vdss) 55 V 100 V 60 V 200 V
Pacchetto Tube Bulk Tube Tube
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB Full-Pak TO-220AB Full-Pak TO-220-3 TO-220-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Tc) 23A (Tc) 8A (Tc) 4A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 33W (Tc) 54W (Tc) 27W (Tc) 30W (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

IRLIB9343PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRLIB9343PBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRLIB9343PBF - Infineon Technologies.

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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