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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRLI520GPBF
IRLI520GPBF Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRLI520GPBF - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
IRLI520GPBF
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-IRLI520GPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Scheda dati
IRLI520G,SiHLI520G.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 33910

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRLI520GPBF
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - IRLI520GPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - IRLI520GPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 270mOhm @ 4.3A, 5V  
Dissipazione di potenza (max) 37W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 490 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.2A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRLI520  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix IRLI520GPBF

Proprietà del prodotto IRLI520GPBF IRLI3705NPBF IRLI530G IRLI3803PBF
Modello di prodotti IRLI520GPBF IRLI3705NPBF IRLI530G IRLI3803PBF
fabbricante Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipazione di potenza (max) 37W (Tc) 58W (Tc) 42W (Tc) 63W (Tc)
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack
Rds On (max) a Id, Vgs 270mOhm @ 4.3A, 5V 10mOhm @ 28A, 10V 160mOhm @ 5.8A, 5V 6mOhm @ 40A, 10V
Numero di prodotto di base IRLI520 IRLI3705 IRLI530 -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 4V, 10V 4V, 5V 4.5V, 10V
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 1V @ 250µA
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) ±10V ±16V ±10V ±16V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 5 V 98 nC @ 5 V 28 nC @ 5 V 140 nC @ 4.5 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.2A (Tc) 52A (Tc) 9.7A (Tc) 76A (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 490 pF @ 25 V 3600 pF @ 25 V 930 pF @ 25 V 5000 pF @ 25 V
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 55 V 100 V 30 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220AB Full-Pak TO-220-3 TO-220AB Full-Pak
Serie - HEXFET® - HEXFET®

IRLI520GPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRLI520GPBF PDF e la documentazione Vishay Siliconix per IRLI520GPBF - Vishay Siliconix.

PCN Design/Specifica
Advisory 20/Mar/2019.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Devices 18/Jul/2017.pdf
Schede tecniche
IRLI520G,SiHLI520G.pdf

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Europa Germania 5
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Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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