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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRLI530NPBF
IRLI530NPBF Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRLI530NPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRLI530NPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRLI530NPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati
IRLI530NPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4500

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRLI530NPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRLI530NPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRLI530NPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB Full-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 100mOhm @ 9A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 41W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRLI530NPBF

Proprietà del prodotto IRLI530NPBF IRLI540N IRLI530N IRLI530G
Modello di prodotti IRLI530NPBF IRLI540N IRLI530N IRLI530G
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB Full-Pak PG-TO220-FP PG-TO220-FP TO-220-3
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 5 V 74 nC @ 5 V 34 nC @ 5 V 28 nC @ 5 V
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 100mOhm @ 9A, 10V 44mOhm @ 12A, 10V 100mOhm @ 9A, 10V 160mOhm @ 5.8A, 5V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Dissipazione di potenza (max) 41W (Tc) 54W (Tc) 41W (Tc) 42W (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 25 V 1800 pF @ 25 V 800 pF @ 25 V 930 pF @ 25 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V 4V, 5V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc) 23A (Tc) 12A (Tc) 9.7A (Tc)
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V

IRLI530NPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRLI530NPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRLI530NPBF - Infineon Technologies.

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