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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRL640STRLPBF
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRL640STRLPBF - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
IRL640STRLPBF
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-IRL640STRLPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRL640S,SiHL640S.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 19162

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRL640STRLPBF
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - IRL640STRLPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - IRL640STRLPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 180mOhm @ 10A, 5V  
Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta), 125W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Tensione drain-source (Vdss) 200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRL640  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix IRL640STRLPBF

Proprietà del prodotto IRL640STRLPBF IRL640 IRL7486MTRPBF IRL640A
Modello di prodotti IRL640STRLPBF IRL640 IRL7486MTRPBF IRL640A
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies onsemi
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Tc) 17A (Tc) 209A (Tc) 18A (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2.5V @ 150µA 2V @ 250µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 25 V 1800 pF @ 25 V 6904 pF @ 25 V 1705 pF @ 25 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 4V, 5V 4.5V, 10V 5V
Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta), 125W (Tc) 125W (Tc) 104W (Tc) 110W (Tc)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 DirectFET™ Isometric ME TO-220-3
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263) TO-220AB DirectFET™ Isometric ME TO-220-3
Tensione drain-source (Vdss) 200 V 200 V 40 V 200 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 5 V 66 nC @ 5 V 111 nC @ 4.5 V 56 nC @ 5 V
Numero di prodotto di base IRL640 IRL640 IRL7486 IRL640
Serie - - HEXFET®, StrongIRFET™ -
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 180mOhm @ 10A, 5V 180mOhm @ 10A, 5V 1.25mOhm @ 123A, 10V 180mOhm @ 9A, 5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±10V ±10V ±20V ±20V

IRL640STRLPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRL640STRLPBF PDF e la documentazione Vishay Siliconix per IRL640STRLPBF - Vishay Siliconix.

Assemblaggio/origine PCN
Additional Assembly Site 21/Oct/2016.pdf
Schede tecniche
IRL640S,SiHL640S.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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