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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRL640S
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRL640S - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
IRL640S
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-IRL640S
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRL640S,SiHL640S.pdf
In magazzino: 4450

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRL640S
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - IRL640S, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - IRL640S

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 180mOhm @ 10A, 5V  
Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta), 125W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Tensione drain-source (Vdss) 200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRL640  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix IRL640S

Proprietà del prodotto IRL640S IRL7486MTRPBF IRL6342TRPBF IRL7472L1TRPBF
Modello di prodotti IRL640S IRL7486MTRPBF IRL6342TRPBF IRL7472L1TRPBF
fabbricante Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Tc) 209A (Tc) 9.9A (Ta) 375A (Tc)
Serie - HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET® StrongIRFET™
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta), 125W (Tc) 104W (Tc) 2.5W (Ta) 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB DirectFET™ Isometric ME 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) DirectFET™ Isometric L8
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263) DirectFET™ Isometric ME 8-SO DirectFET™ Isometric L8
Rds On (max) a Id, Vgs 180mOhm @ 10A, 5V 1.25mOhm @ 123A, 10V 14.6mOhm @ 9.9A, 4.5V 0.59mOhm @ 195A, 10V
Numero di prodotto di base IRL640 IRL7486 IRL6342 IRL7472
Vgs (Max) ±10V ±20V ±12V ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 25 V 6904 pF @ 25 V 1025 pF @ 25 V 20082 pF @ 25 V
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2.5V @ 150µA 1.1V @ 10µA 2.5V @ 250µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 5 V 111 nC @ 4.5 V 11 nC @ 4.5 V 330 nC @ 4.5 V
Tensione drain-source (Vdss) 200 V 40 V 30 V 40 V

IRL640S Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRL640S PDF e la documentazione Vishay Siliconix per IRL640S - Vishay Siliconix.

Schede tecniche
IRL640S,SiHL640S.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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