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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRL530
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRL530 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
IRL530
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-IRL530
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 15A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
IRL530, SiHL530.pdf
In magazzino: 5390

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRL530
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - IRL530, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - IRL530

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 160mOhm @ 9A, 5V  
Dissipazione di potenza (max) 88W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 930 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRL530  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix IRL530

Proprietà del prodotto IRL530 IRL520NSTRLPBF IRL530NPBF IRL520NSPBF
Modello di prodotti IRL530 IRL520NSTRLPBF IRL530NPBF IRL520NSPBF
fabbricante Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 5 V 20 nC @ 5 V 34 nC @ 5 V 20 nC @ 5 V
Numero di prodotto di base IRL530 IRL520 IRL530 -
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB D2PAK TO-220AB D2PAK
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tube Bulk
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Tc) 10A (Tc) 17A (Tc) 10A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V
Dissipazione di potenza (max) 88W (Tc) 3.8W (Ta), 48W (Tc) 79W (Tc) 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±10V ±16V ±16V ±16V
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 930 pF @ 25 V 440 pF @ 25 V 800 pF @ 25 V 440 pF @ 25 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 160mOhm @ 9A, 5V 180mOhm @ 6A, 10V 100mOhm @ 9A, 10V 180mOhm @ 6A, 10V
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Serie - HEXFET® HEXFET® -
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V

IRL530 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRL530 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per IRL530 - Vishay Siliconix.

PCN Obsolescence/ EOL
SIL-018-2015-Rev-0 20/May/2015.pdf
Altri documenti correlati
Packaging Information.pdf
Schede tecniche
IRL530, SiHL530.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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