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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRL530NPBF
IRL530NPBF Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRL530NPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRL530NPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRL530NPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
IRL530NPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3780

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRL530NPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRL530NPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRL530NPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 100mOhm @ 9A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 79W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRL530  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRL530NPBF

Proprietà del prodotto IRL530NPBF IRL530NSTRLPBF IRL530NSPBF IRL530
Modello di prodotti IRL530NPBF IRL530NSTRLPBF IRL530NSPBF IRL530
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Vishay Siliconix
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 5 V 34 nC @ 5 V 34 nC @ 5 V 28 nC @ 5 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Tc) 17A (Tc) 17A (Tc) 15A (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 25 V 800 pF @ 25 V 800 pF @ 25 V 930 pF @ 25 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±16V ±20V ±20V ±10V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Numero di prodotto di base IRL530 IRL530 - IRL530
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V 4V, 5V
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Bulk Tube
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB D2PAK D2PAK TO-220AB
Dissipazione di potenza (max) 79W (Tc) 3.8W (Ta), 79W (Tc) 3.8W (Ta), 79W (Tc) 88W (Tc)
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
Rds On (max) a Id, Vgs 100mOhm @ 9A, 10V 100mOhm @ 9A, 10V 100mOhm @ 9A, 10V 160mOhm @ 9A, 5V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA

IRL530NPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRL530NPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRL530NPBF - Infineon Technologies.

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