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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFPS37N50APBF
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFPS37N50APBF - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
IRFPS37N50APBF
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFPS37N50APBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 36A SUPER247
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-274AA
Scheda dati
Power MOSFET.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4500

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFPS37N50APBF
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - IRFPS37N50APBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - IRFPS37N50APBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SUPER-247™ (TO-274AA)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 130mOhm @ 22A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 446W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-274AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5579 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 36A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRFPS37  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix IRFPS37N50APBF

Proprietà del prodotto IRFPS37N50APBF IRFPS37N50APBF IRFPS40N50L IRFPS3810
Modello di prodotti IRFPS37N50APBF IRFPS37N50APBF IRFPS40N50L IRFPS3810
fabbricante Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 36A (Tc) 36A (Tc) 46A (Tc) 170A (Tc)
Serie - HEXFET® - HEXFET®
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 446W (Tc) 446W (Tc) 540W (Tc) 580W (Tc)
Contenitore / involucro TO-274AA TO-274AA TO-274AA TO-274AA
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5579 pF @ 25 V 5579 pF @ 25 V 8110 pF @ 25 V 6790 pF @ 25 V
Contenitore dispositivo fornitore SUPER-247™ (TO-274AA) SUPER-247™ (TO-274AA) SUPER-247™ (TO-274AA) SUPER-247™ (TO-274AA)
Pacchetto Tube Tube Tube Bag
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 500 V 500 V 100 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 380 nC @ 10 V 390 nC @ 10 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 130mOhm @ 22A, 10V 130mOhm @ 22A, 10V 100mOhm @ 28A, 10V 9mOhm @ 100A, 10V
Numero di prodotto di base IRFPS37 IRFPS37 IRFPS40 -

IRFPS37N50APBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFPS37N50APBF PDF e la documentazione Vishay Siliconix per IRFPS37N50APBF - Vishay Siliconix.

PCN Design/Specifica
Mold Compounds 25/Feb/2016.pdf
PCN Altro
Assembly/Obs 22/Sep/2020.pdf
Schede tecniche
Power MOSFET.pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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