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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFPS30N60KPBF
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFPS30N60KPBF - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
IRFPS30N60KPBF
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFPS30N60KPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 30A SUPER247
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-274AA
Scheda dati
IRFPS30N60K,SiHFPS30N60K.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4510

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFPS30N60KPBF
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - IRFPS30N60KPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - IRFPS30N60KPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SUPER-247™ (TO-274AA)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 190mOhm @ 18A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 450W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-274AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5870 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 220 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRFPS30  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix IRFPS30N60KPBF

Proprietà del prodotto IRFPS30N60KPBF IRFPG50PBF IRFPS3810 IRFPS38N60LPBF
Modello di prodotti IRFPS30N60KPBF IRFPG50PBF IRFPS3810 IRFPS38N60LPBF
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore SUPER-247™ (TO-274AA) TO-247AC SUPER-247™ (TO-274AA) SUPER-247™ (TO-274AA)
Serie - - HEXFET® -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 1000 V 100 V 600 V
Rds On (max) a Id, Vgs 190mOhm @ 18A, 10V 2Ohm @ 3.6A, 10V 9mOhm @ 100A, 10V 150mOhm @ 23A, 10V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Caratteristica FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Dissipazione di potenza (max) 450W (Tc) 190W (Tc) 580W (Tc) 540W (Tc)
Pacchetto Tube Tube Bag Tube
Numero di prodotto di base IRFPS30 IRFPG50 - IRFPS38
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±30V
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Contenitore / involucro TO-274AA TO-247-3 TO-274AA TO-274AA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5870 pF @ 25 V 2800 pF @ 25 V 6790 pF @ 25 V 7990 pF @ 25 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 220 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V 390 nC @ 10 V 320 nC @ 10 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc) 6.1A (Tc) 170A (Tc) 38A (Tc)

IRFPS30N60KPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFPS30N60KPBF PDF e la documentazione Vishay Siliconix per IRFPS30N60KPBF - Vishay Siliconix.

Schede tecniche
IRFPS30N60K,SiHFPS30N60K.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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