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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFL214TR
IRFL214TR Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFL214TR - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
IRFL214TR
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFL214TR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-261-4, TO-261AA
Scheda dati
IRFL214.pdf
In magazzino: 4980

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFL214TR
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - IRFL214TR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - IRFL214TR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 2Ohm @ 470mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 3.1W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 140 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.2 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 250 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 790mA (Tc)  
Numero di prodotto di base IRFL214  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix IRFL214TR

Proprietà del prodotto IRFL214TR IRFL214TRPBF-BE3 IRFL210TR IRFL210PBF
Modello di prodotti IRFL214TR IRFL214TRPBF-BE3 IRFL210TR IRFL210PBF
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223 SOT-223 SOT-223 SOT-223
Numero di prodotto di base IRFL214 IRFL214 IRFL210 IRFL210
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tensione drain-source (Vdss) 250 V 250 V 200 V 200 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 140 pF @ 25 V 140 pF @ 25 V 140 pF @ 25 V 140 pF @ 25 V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Rds On (max) a Id, Vgs 2Ohm @ 470mA, 10V 2Ohm @ 470mA, 10V 1.5Ohm @ 580mA, 10V 1.5Ohm @ 580mA, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.2 nC @ 10 V 8.2 nC @ 10 V 8.2 nC @ 10 V 8.2 nC @ 10 V
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 790mA (Tc) 790mA (Tc) 960mA (Tc) 960mA (Tc)
Serie - - - -
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 3.1W (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

IRFL214TR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFL214TR PDF e la documentazione Vishay Siliconix per IRFL214TR - Vishay Siliconix.

Schede tecniche
IRFL214.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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