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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFL210PBF
IRFL210PBF Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFL210PBF - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
IRFL210PBF
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFL210PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-261-4, TO-261AA
Scheda dati
IRFL210, SiHFL210.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4660

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFL210PBF
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - IRFL210PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - IRFL210PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.5Ohm @ 580mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 3.1W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 140 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.2 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 960mA (Tc)  
Numero di prodotto di base IRFL210  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix IRFL210PBF

Proprietà del prodotto IRFL210PBF IRFL214TRPBF IRFL214 IRFL210TR
Modello di prodotti IRFL210PBF IRFL214TRPBF IRFL214 IRFL210TR
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 3.1W (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 960mA (Tc) 790mA (Tc) 790mA (Tc) 960mA (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 1.5Ohm @ 580mA, 10V 2Ohm @ 470mA, 10V 2Ohm @ 470mA, 10V 1.5Ohm @ 580mA, 10V
Serie - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 140 pF @ 25 V 140 pF @ 25 V 140 pF @ 25 V 140 pF @ 25 V
Tensione drain-source (Vdss) 200 V 250 V 250 V 200 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223 SOT-223 SOT-223 SOT-223
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numero di prodotto di base IRFL210 IRFL214 IRFL214 IRFL210
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.2 nC @ 10 V 8.2 nC @ 10 V 8.2 nC @ 10 V 8.2 nC @ 10 V

IRFL210PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFL210PBF PDF e la documentazione Vishay Siliconix per IRFL210PBF - Vishay Siliconix.

PCN Obsolescence/ EOL
SOT-223 Tube Package 02/Jul/2015.pdf
Cambia dello stato della parte PCN
Mult Tube Dev OBS 2/Jul/2015.pdf
Schede tecniche
IRFL210, SiHFL210.pdf

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Europa Germania 5
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Asia India 4
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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