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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFD9220PBF
IRFD9220PBF Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFD9220PBF - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
IRFD9220PBF
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFD9220PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Scheda dati
IRFD9220.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 29533

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFD9220PBF
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - IRFD9220PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - IRFD9220PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 4-HVMDIP  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.5Ohm @ 340mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)  
Contenitore / involucro 4-DIP (0.300", 7.62mm)  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 340 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 560mA (Ta)  
Numero di prodotto di base IRFD9220  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix IRFD9220PBF

Proprietà del prodotto IRFD9220PBF IRFD9210 IRFD9120PBF IRFF131
Modello di prodotti IRFD9220PBF IRFD9210 IRFD9120PBF IRFF131
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix International Rectifier
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Pacchetto Tube Tube Tube Bulk
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Contenitore dispositivo fornitore 4-HVMDIP 4-HVMDIP 4-HVMDIP TO-205AF (TO-39)
Tensione drain-source (Vdss) 200 V 200 V 100 V 80 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 340 pF @ 25 V 170 pF @ 25 V 390 pF @ 25 V -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V 8.9 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V -
Contenitore / involucro 4-DIP (0.300", 7.62mm) 4-DIP (0.300", 7.62mm) 4-DIP (0.300", 7.62mm) TO-205AF Metal Can
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 1.5Ohm @ 340mA, 10V 3Ohm @ 240mA, 10V 600mOhm @ 600mA, 10V -
Serie - - - -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA -
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Numero di prodotto di base IRFD9220 IRFD9210 IRFD9120 -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 560mA (Ta) 400mA (Ta) 1A (Ta) 8A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta) 1W (Ta) 1.3W (Ta) -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

IRFD9220PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFD9220PBF PDF e la documentazione Vishay Siliconix per IRFD9220PBF - Vishay Siliconix.

PCN Design/Specifica
Mult Dev 01/Feb/2023.pdf
Schede tecniche
IRFD9220.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Vishay Siliconix
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