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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFF221
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFF221 - Harris Corporation

fabbricante Modello di prodotti
IRFF221
fabbricante
Harris Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFF221
Modello ECAD
Descrizione delle parti
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-205AF Metal Can
Scheda dati
IRFF221.pdf
In magazzino: 32764

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFF221
Specifiche tecniche Harris Corporation - IRFF221, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Harris Corporation - IRFF221

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Harris Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-205AF (TO-39)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 800mOhm @ 2A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 20W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-205AF Metal Can  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 150 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Harris Corporation IRFF221

Proprietà del prodotto IRFF221 IRFF433 IRFF131 IRFD9220PBF
Modello di prodotti IRFF221 IRFF433 IRFF131 IRFD9220PBF
fabbricante Harris Corporation Harris Corporation International Rectifier Vishay Siliconix
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A (Tc) 2.25A (Tc) 8A (Tc) 560mA (Ta)
Tensione drain-source (Vdss) 150 V 450 V 80 V 200 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Dissipazione di potenza (max) 20W (Tc) 25W (Tc) - 1W (Ta)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V - 15 nC @ 10 V
Rds On (max) a Id, Vgs 800mOhm @ 2A, 10V 2Ohm @ 1.5A, 10V - 1.5Ohm @ 340mA, 10V
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA - 4V @ 250µA
Serie - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 25 V 600 pF @ 25 V - 340 pF @ 25 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-205AF (TO-39) TO-205AF (TO-39) TO-205AF (TO-39) 4-HVMDIP
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Contenitore / involucro TO-205AF Metal Can TO-205AF Metal Can TO-205AF Metal Can 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Pacchetto Bulk Bulk Bulk Tube
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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