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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-singoloVS-40HFR120
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

VS-40HFR120 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

fabbricante Modello di prodotti
VS-40HFR120
fabbricante
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modello di prodotti
32D-VS-40HFR120
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE GEN PURP 1.2KV 40A DO203AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
DO-203AB, DO-5, Stud
Scheda dati
VS-40HF(R) Series.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5594

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche VS-40HFR120
Specifiche tecniche Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-40HFR120, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-40HFR120

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.3 V @ 125 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 1200 V  
Tecnologia Standard, Reverse Polarity  
Contenitore dispositivo fornitore DO-203AB (DO-5)  
Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Contenitore / involucro DO-203AB, DO-5, Stud  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -65°C ~ 190°C  
Tipo montaggio Chassis, Stud Mount  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 9 mA @ 1200 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 40A  
Capacità a Vr, F -  
Numero di prodotto di base 40HFR120  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40HFR120

Proprietà del prodotto VS-40HFR120 VS-40EPS08-M3 VS-40EPS12PBF VS-40HF80
Modello di prodotti VS-40HFR120 VS-40EPS08-M3 VS-40EPS12PBF VS-40HF80
fabbricante Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Capacità a Vr, F - - - -
Tipo montaggio Chassis, Stud Mount Through Hole Through Hole Chassis, Stud Mount
Corrente - raddrizzata media (Io) 40A 40A 40A 40A
Contenitore dispositivo fornitore DO-203AB (DO-5) TO-247AC Modified TO-247AC Modified DO-203AB (DO-5)
Serie - - - -
Tecnologia Standard, Reverse Polarity Standard Standard Standard
Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Pacchetto Bulk Tube Tube Bulk
Numero di prodotto di base 40HFR120 40EPS08 40EPS12 40HF80
Temperatura di funzionamento - Giunzione -65°C ~ 190°C -40°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C -65°C ~ 190°C
Contenitore / involucro DO-203AB, DO-5, Stud TO-247-2 TO-247-2 DO-203AB, DO-5, Stud
Corrente - Dispersione inversa a Vr 9 mA @ 1200 V 100 µA @ 800 V 100 µA @ 1200 V 9 mA @ 800 V
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.3 V @ 125 A 1 V @ 20 A 1.1 V @ 40 A 1.3 V @ 125 A
Tensione - inversa (Vr) (max) 1200 V 800 V 1200 V 800 V

VS-40HFR120 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica VS-40HFR120 PDF e la documentazione Vishay General Semiconductor - Diodes Division per VS-40HFR120 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Assemblaggio/origine PCN
Wafer Fab Site 08/May/2023.pdf
Schede tecniche
VS-40HF(R) Series.pdf

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America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Asia India 4
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