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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-singoloVS-40EPF12PBF
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

VS-40EPF12PBF - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

fabbricante Modello di prodotti
VS-40EPF12PBF
fabbricante
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modello di prodotti
32D-VS-40EPF12PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE GP 1.2KV 40A TO247AC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-2
Scheda dati
VS-40EPF12PBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4170

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche VS-40EPF12PBF
Specifiche tecniche Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-40EPF12PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-40EPF12PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.4 V @ 40 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 1200 V  
Tecnologia Standard  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AC Modified  
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Tempo di ripristino inverso (trr) 450 ns  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro TO-247-2  
Pacchetto Tube  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -40°C ~ 150°C  
Tipo montaggio Through Hole  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 100 µA @ 1200 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 40A  
Capacità a Vr, F -  
Numero di prodotto di base 40EPF12  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40EPF12PBF

Proprietà del prodotto VS-40EPF12PBF VS-40EPS08-M3 VS-40HF80 VS-40HF160M
Modello di prodotti VS-40EPF12PBF VS-40EPS08-M3 VS-40HF80 VS-40HF160M
fabbricante Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Contenitore / involucro TO-247-2 TO-247-2 DO-203AB, DO-5, Stud DO-203AB, DO-5, Stud
Pacchetto Tube Tube Bulk Bulk
Corrente - Dispersione inversa a Vr 100 µA @ 1200 V 100 µA @ 800 V 9 mA @ 800 V -
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.4 V @ 40 A 1 V @ 20 A 1.3 V @ 125 A 1.3 V @ 125 A
Tempo di ripristino inverso (trr) 450 ns - - -
Serie - - - -
Capacità a Vr, F - - - -
Temperatura di funzionamento - Giunzione -40°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C -65°C ~ 190°C -65°C ~ 160°C
Tensione - inversa (Vr) (max) 1200 V 800 V 800 V 1600 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Chassis, Stud Mount Chassis, Stud Mount
Tecnologia Standard Standard Standard Standard
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AC Modified TO-247AC Modified DO-203AB (DO-5) DO-203AB (DO-5)
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Numero di prodotto di base 40EPF12 40EPS08 40HF80 40HF160
Corrente - raddrizzata media (Io) 40A 40A 40A 40A

VS-40EPF12PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica VS-40EPF12PBF PDF e la documentazione Vishay General Semiconductor - Diodes Division per VS-40EPF12PBF - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Assemblaggio/origine PCN
DD-005-2014-Rev-0 03/Mar/2014.pdf
PCN Altro
DD-018-2015-Rev-00 25/May/2015.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 13/Sep/2019.pdf

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