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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloTP65H300G4LSG
Transphorm
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

TP65H300G4LSG - Transphorm

fabbricante Modello di prodotti
TP65H300G4LSG
fabbricante
Transphorm
Allelco Modello di prodotti
32D-TP65H300G4LSG
Modello ECAD
Descrizione delle parti
GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
3-PowerDFN
Scheda dati
TP65H300G4LSG.pdf
In magazzino: 11758

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche TP65H300G4LSG
Specifiche tecniche Transphorm - TP65H300G4LSG, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Transphorm - TP65H300G4LSG

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Transphorm  
Vgs (th) (max) a Id 2.6V @ 500µA  
Vgs (Max) ±18V  
Tecnologia GaNFET (Gallium Nitride)  
Contenitore dispositivo fornitore 3-PQFN (8x8)  
Rds On (max) a Id, Vgs 312mOhm @ 5A, 8V  
Dissipazione di potenza (max) 21W (Tc)  
Contenitore / involucro 3-PowerDFN  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 760 pF @ 400 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9.6 nC @ 8 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 8V  
Tensione drain-source (Vdss) 650 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.5A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Transphorm TP65H300G4LSG

Proprietà del prodotto TP65H300G4LSG TP65H050WS TP6740SVQ TP6508QG
Modello di prodotti TP65H300G4LSG TP65H050WS TP6740SVQ TP6508QG
fabbricante Transphorm Transphorm TOPRO TOPRO
Tecnologia GaNFET (Gallium Nitride) GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) - -
Vgs (th) (max) a Id 2.6V @ 500µA 4.8V @ 700µA - -
Contenitore dispositivo fornitore 3-PQFN (8x8) TO-247-3 - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 8V 12V - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9.6 nC @ 8 V 24 nC @ 10 V - -
Contenitore / involucro 3-PowerDFN TO-247-3 - -
Rds On (max) a Id, Vgs 312mOhm @ 5A, 8V 60mOhm @ 22A, 10V - -
Tipo FET N-Channel N-Channel - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 760 pF @ 400 V 1000 pF @ 400 V - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.5A (Tc) 34A (Tc) - -
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) ±18V ±20V - -
Tensione drain-source (Vdss) 650 V 650 V - -
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole - -
Dissipazione di potenza (max) 21W (Tc) 119W (Tc) - -

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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