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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloTP65H050WS
Transphorm
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

TP65H050WS - Transphorm

fabbricante Modello di prodotti
TP65H050WS
fabbricante
Transphorm
Allelco Modello di prodotti
32D-TP65H050WS
Modello ECAD
Descrizione delle parti
GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
TP65H050WS.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 2982

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche TP65H050WS
Specifiche tecniche Transphorm - TP65H050WS, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Transphorm - TP65H050WS

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Transphorm  
Vgs (th) (max) a Id 4.8V @ 700µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 60mOhm @ 22A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 119W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 400 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 12V  
Tensione drain-source (Vdss) 650 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 34A (Tc)  
Numero di prodotto di base TP65H050  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Transphorm TP65H050WS

Proprietà del prodotto TP65H050WS TP65H300G4LSG TP6508QG TP6740SVQ
Modello di prodotti TP65H050WS TP65H300G4LSG TP6508QG TP6740SVQ
fabbricante Transphorm Transphorm TOPRO TOPRO
Pacchetto Tube - - -
Serie - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 400 V 760 pF @ 400 V - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V 9.6 nC @ 8 V - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount - -
Numero di prodotto di base TP65H050 - - -
Vgs (Max) ±20V ±18V - -
Rds On (max) a Id, Vgs 60mOhm @ 22A, 10V 312mOhm @ 5A, 8V - -
Tecnologia GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) GaNFET (Gallium Nitride) - -
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 34A (Tc) 6.5A (Tc) - -
Tensione drain-source (Vdss) 650 V 650 V - -
Contenitore / involucro TO-247-3 3-PowerDFN - -
Dissipazione di potenza (max) 119W (Tc) 21W (Tc) - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 12V 8V - -
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3 3-PQFN (8x8) - -
Vgs (th) (max) a Id 4.8V @ 700µA 2.6V @ 500µA - -
Tipo FET N-Channel N-Channel - -

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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