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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciTPC8208(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

TPC8208(TE12L,Q) - Toshiba Semiconductor and Storage

fabbricante Modello di prodotti
TPC8208(TE12L,Q)
fabbricante
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Modello di prodotti
32D-TPC8208(TE12L,Q)
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-SOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Scheda dati
Mosfets Prod Guide.pdf
TPC8208.pdf
Stato RoHS
Senza piombo / RoHS conforme
In magazzino: 4020

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Specifiche

Specifiche tecnologiche TPC8208(TE12L,Q)
Specifiche tecniche Toshiba Semiconductor and Storage - TPC8208(TE12L,Q), attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Toshiba Semiconductor and Storage - TPC8208(TE12L,Q)

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 200µA  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOP (5.5x6.0)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 50 mOhm @ 2.5A, 4V  
Potenza - Max 450mW  
imballaggio Original-Reel®  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)  
Altri nomi TPC8208DKR
TPC8208DKR-ND
TPC8208QDKR
TPC8208TE12LQ
 
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)  
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 780pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9.5nC @ 5V  
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Descrizione dettagliata Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5A 450mW Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5A  
Numero di parte base TPC*208  

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Proprietà del prodotto TPC8208(TE12L,Q) TPC8208(TE12L,Q,M) TPC8207(TE12L) TPC8207.
Modello di prodotti TPC8208(TE12L,Q) TPC8208(TE12L,Q,M) TPC8207(TE12L) TPC8207.
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate -
Numero di parte base TPC*208 - - -
Potenza - Max 450mW 450mW 750mW -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) - - -
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOP (5.5x6.0) 8-SOP (5.5x6.0) 8-SOP (5.5x6.0) -
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) - -
imballaggio Original-Reel® - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9.5nC @ 5V 9.5nC @ 5V 22nC @ 5V -
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) - - -
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) -
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant - - -
Tensione drain-source (Vdss) 20V 20V 20V -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5A 5A 6A -
Altri nomi TPC8208DKR
TPC8208DKR-ND
TPC8208QDKR
TPC8208TE12LQ
- - -
Descrizione dettagliata Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5A 450mW Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0) - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 50 mOhm @ 2.5A, 4V 50mOhm @ 2.5A, 4V 20mOhm @ 4.8A, 4V -
Serie - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 780pF @ 10V 780pF @ 10V 2010pF @ 10V -
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 200µA 1.2V @ 200µA 1.2V @ 200µA -

TPC8208(TE12L,Q) Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica TPC8208(TE12L,Q) PDF e la documentazione Toshiba Semiconductor and Storage per TPC8208(TE12L,Q) - Toshiba Semiconductor and Storage.

Specifiche
Mosfets Prod Guide.pdf TPC8208.pdf

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Europa Germania 5
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Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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