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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciTPC8207(TE12L)
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

TPC8207(TE12L) - Toshiba Semiconductor and Storage

fabbricante Modello di prodotti
TPC8207(TE12L)
fabbricante
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Modello di prodotti
32D-TPC8207(TE12L)
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-SOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Scheda dati
Mosfets Prod Guide.pdf
TPC8207.pdf
In magazzino: 4780

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche TPC8207(TE12L)
Specifiche tecniche Toshiba Semiconductor and Storage - TPC8207(TE12L), attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Toshiba Semiconductor and Storage - TPC8207(TE12L)

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 200µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOP (5.5x6.0)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 20mOhm @ 4.8A, 4V  
Potenza - Max 750mW  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)  
Pacchetto Digi-Reel®  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2010pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base TPC8207  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Toshiba Semiconductor and Storage TPC8207(TE12L)

Proprietà del prodotto TPC8207(TE12L) TPC8208(TE12L,Q,M) TPC8208(TE12L,Q) TPC8207-H
Modello di prodotti TPC8207(TE12L) TPC8208(TE12L,Q,M) TPC8208(TE12L,Q) TPC8207-H
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A 5A 5A -
Tensione drain-source (Vdss) 20V 20V 20V -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 5V 9.5nC @ 5V 9.5nC @ 5V -
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOP (5.5x6.0) 8-SOP (5.5x6.0) 8-SOP (5.5x6.0) -
Rds On (max) a Id, Vgs 20mOhm @ 4.8A, 4V 50mOhm @ 2.5A, 4V 50 mOhm @ 2.5A, 4V -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Potenza - Max 750mW 450mW 450mW -
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate -
Numero di prodotto di base TPC8207 TPC8208 - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2010pF @ 10V 780pF @ 10V 780pF @ 10V -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) - -
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 200µA 1.2V @ 200µA 1.2V @ 200µA -
Serie - - - -
Pacchetto Digi-Reel® Tape & Reel (TR) - -
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) -

TPC8207(TE12L) Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica TPC8207(TE12L) PDF e la documentazione Toshiba Semiconductor and Storage per TPC8207(TE12L) - Toshiba Semiconductor and Storage.

Schede tecniche
Mosfets Prod Guide.pdf TPC8207.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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