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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciTSM2537CQ RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

TSM2537CQ RFG - Taiwan Semiconductor Corporation

fabbricante Modello di prodotti
TSM2537CQ RFG
fabbricante
Taiwan Semiconductor
Allelco Modello di prodotti
32D-TSM2537CQ RFG
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N/P-CH 20V 11.6A/9A 6TDFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-VDFN Exposed Pad
Scheda dati
TSM2537CQ.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 47140

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche TSM2537CQ RFG
Specifiche tecniche Taiwan Semiconductor Corporation - TSM2537CQ RFG, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Taiwan Semiconductor Corporation - TSM2537CQ RFG

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Taiwan Semiconductor  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 6-TDFN (2x2)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 30mOhm @ 6.4A, 4.5V, 55mOhm @ 5A, 4.5V  
Potenza - Max 6.25W  
Contenitore / involucro 6-VDFN Exposed Pad  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 677pF @ 10V, 744pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9.1nC @ 4.5V, 9.8nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate, 1.8V Drive  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11.6A (Tc), 9A (Tc)  
Configurazione N and P-Channel  
Numero di prodotto di base TSM2537  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Taiwan Semiconductor Corporation TSM2537CQ RFG

Proprietà del prodotto TSM2537CQ RFG TSM250N02DCQ TSM2A103F34D1R TSM240N03CX RFG
Modello di prodotti TSM2537CQ RFG TSM250N02DCQ TSM2A103F34D1R TSM240N03CX RFG
fabbricante Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation THINKING Taiwan Semiconductor Corporation
Contenitore / involucro 6-VDFN Exposed Pad 6-VDFN Exposed Pad - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds On (max) a Id, Vgs 30mOhm @ 6.4A, 4.5V, 55mOhm @ 5A, 4.5V 25mOhm @ 4A, 4.5V - 24mOhm @ 6A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 677pF @ 10V, 744pF @ 10V 775pF @ 10V - 345 pF @ 25 V
Potenza - Max 6.25W 620mW (Tc) - -
Contenitore dispositivo fornitore 6-TDFN (2x2) 6-TDFN (2x2) - SOT-23
Caratteristica FET Logic Level Gate, 1.8V Drive Standard - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - 150°C (TJ)
Serie - - - -
Numero di prodotto di base TSM2537 TSM250 - TSM240
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11.6A (Tc), 9A (Tc) 5.8A (Tc) - 6.5A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione N and P-Channel 2 N-Channel - -
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 0.8V @ 250µA - 2.5V @ 250µA
Tensione drain-source (Vdss) 20V 20V - 30 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9.1nC @ 4.5V, 9.8nC @ 4.5V 11nC @ 4.5V - 4.1 nC @ 4.5 V

TSM2537CQ RFG Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica TSM2537CQ RFG PDF e la documentazione Taiwan Semiconductor Corporation per TSM2537CQ RFG - Taiwan Semiconductor Corporation.

Schede tecniche
TSM2537CQ.pdf
Assemblaggio/origine PCN
TSM253xCQ RFG 07/Jun/2022.pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
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