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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciTSM250N02DCQ
Taiwan Semiconductor Corporation
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

TSM250N02DCQ - Taiwan Semiconductor Corporation

fabbricante Modello di prodotti
TSM250N02DCQ
fabbricante
Taiwan Semiconductor
Allelco Modello di prodotti
32D-TSM250N02DCQ
Modello ECAD
Descrizione delle parti
20V, 5.8A, DUAL N-CHANNEL POWER
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-VDFN Exposed Pad
Scheda dati
TSM250N02DCQ.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 122820

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Specifiche

Specifiche tecnologiche TSM250N02DCQ
Specifiche tecniche Taiwan Semiconductor Corporation - TSM250N02DCQ, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Taiwan Semiconductor Corporation - TSM250N02DCQ

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Taiwan Semiconductor  
Vgs (th) (max) a Id 0.8V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 6-TDFN (2x2)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 25mOhm @ 4A, 4.5V  
Potenza - Max 620mW (Tc)  
Contenitore / involucro 6-VDFN Exposed Pad  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 775pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Standard  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.8A (Tc)  
Configurazione 2 N-Channel  
Numero di prodotto di base TSM250  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Taiwan Semiconductor Corporation TSM250N02DCQ

Proprietà del prodotto TSM250N02DCQ TSM2537CQ RFG TSM250N02CX TSM2611EDCX6
Modello di prodotti TSM250N02DCQ TSM2537CQ RFG TSM250N02CX TSM2611EDCX6
fabbricante Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation HAMOS
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -
Contenitore / involucro 6-VDFN Exposed Pad 6-VDFN Exposed Pad TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Rds On (max) a Id, Vgs 25mOhm @ 4A, 4.5V 30mOhm @ 6.4A, 4.5V, 55mOhm @ 5A, 4.5V 25mOhm @ 4A, 4.5V -
Serie - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Contenitore dispositivo fornitore 6-TDFN (2x2) 6-TDFN (2x2) SOT-23 -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.8A (Tc) 11.6A (Tc), 9A (Tc) 5.8A (Tc) -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Caratteristica FET Standard Logic Level Gate, 1.8V Drive - -
Vgs (th) (max) a Id 0.8V @ 250µA 1V @ 250µA 0.8V @ 250µA -
Potenza - Max 620mW (Tc) 6.25W - -
Tensione drain-source (Vdss) 20V 20V 20 V -
Numero di prodotto di base TSM250 TSM2537 TSM250 -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 775pF @ 10V 677pF @ 10V, 744pF @ 10V 535 pF @ 10 V -
Configurazione 2 N-Channel N and P-Channel - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V 9.1nC @ 4.5V, 9.8nC @ 4.5V 7.7 nC @ 4.5 V -

TSM250N02DCQ Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica TSM250N02DCQ PDF e la documentazione Taiwan Semiconductor Corporation per TSM250N02DCQ - Taiwan Semiconductor Corporation.

Schede tecniche
TSM250N02DCQ.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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