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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTW43NM50N
STW43NM50N Image
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OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

STW43NM50N - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STW43NM50N
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STW43NM50N
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 37A TO247-3
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
STW43NM50N.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 5360

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Specifiche

Specifiche tecnologiche STW43NM50N
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STW43NM50N, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STW43NM50N

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3  
Serie MDmesh™ II  
Rds On (max) a Id, Vgs 85mOhm @ 18.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 255W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4200 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 37A (Tc)  
Numero di prodotto di base STW43N  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STW43NM50N

Proprietà del prodotto STW43NM50N STW43NM60ND STW43N60DM2 STW42N65M5
Modello di prodotti STW43NM50N STW43NM60ND STW43N60DM2 STW42N65M5
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 37A (Tc) 35A (Tc) 34A (Tc) 33A (Tc)
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4200 pF @ 50 V 4300 pF @ 50 V 2500 pF @ 100 V 4650 pF @ 100 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Numero di prodotto di base STW43N STW43N STW43 STW42
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 600 V 600 V 650 V
Rds On (max) a Id, Vgs 85mOhm @ 18.5A, 10V 88mOhm @ 17.5A, 10V 93mOhm @ 17A, 10V 79mOhm @ 16.5A, 10V
Serie MDmesh™ II FDmesh™ MDmesh™ DM2 MDmesh™ V
Dissipazione di potenza (max) 255W (Tc) 255W (Tc) 250W (Tc) 190W (Tc)
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Vgs (Max) ±25V ±25V ±25V ±25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 10 V 145 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

STW43NM50N Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STW43NM50N PDF e la documentazione STMicroelectronics per STW43NM50N - STMicroelectronics.

Schede tecniche
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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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