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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTW40N95K5
STW40N95K5 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

STW40N95K5 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STW40N95K5
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STW40N95K5
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 950V 38A TO247
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
STW40N95K5.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 3084

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Specifiche

Specifiche tecnologiche STW40N95K5
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STW40N95K5, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STW40N95K5

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3  
Serie MDmesh™ K5  
Rds On (max) a Id, Vgs 130mOhm @ 19A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 450W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3300 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 93 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 950 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 38A (Tc)  
Numero di prodotto di base STW40  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STW40N95K5

Proprietà del prodotto STW40N95K5 STW42N65M5 STW43N60DM2 STW40N90K5
Modello di prodotti STW40N95K5 STW42N65M5 STW43N60DM2 STW40N90K5
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 93 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V 89 nC @ 10 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Vgs (Max) ±30V ±25V ±25V ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3300 pF @ 100 V 4650 pF @ 100 V 2500 pF @ 100 V 3260 pF @ 100 V
Serie MDmesh™ K5 MDmesh™ V MDmesh™ DM2 MDmesh™ K5
Tensione drain-source (Vdss) 950 V 650 V 600 V 900 V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 100µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 100µA
Caratteristica FET - - - -
Numero di prodotto di base STW40 STW42 STW43 STW40
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 38A (Tc) 33A (Tc) 34A (Tc) 40A (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipazione di potenza (max) 450W (Tc) 190W (Tc) 250W (Tc) 446W (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 130mOhm @ 19A, 10V 79mOhm @ 16.5A, 10V 93mOhm @ 17A, 10V 99mOhm @ 20A, 10V
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

STW40N95K5 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STW40N95K5 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STW40N95K5 - STMicroelectronics.

PCN Design/Specifica
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblaggio/origine PCN
New Molding Compound 13/Sep/2019.pdf
Schede tecniche
STW40N95K5.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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