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STW28NM60ND Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STW28NM60ND - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STW28NM60ND
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STW28NM60ND
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 23A TO247
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
ST(B,F,P,W)28NM60ND Datasheet.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 7179

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STW28NM60ND
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STW28NM60ND, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STW28NM60ND

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3  
Serie FDmesh™ II  
Rds On (max) a Id, Vgs 150mOhm @ 11.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 190W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2090 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 62.5 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 23A (Tc)  
Numero di prodotto di base STW28  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STW28NM60ND

Proprietà del prodotto STW28NM60ND STW28N60DM2 STW29NK50Z STW30NM50N
Modello di prodotti STW28NM60ND STW28N60DM2 STW29NK50Z STW30NM50N
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 62.5 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V 266 nC @ 10 V 94 nC @ 10 V
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4.5V @ 150µA 4V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 600 V 500 V 500 V
Dissipazione di potenza (max) 190W (Tc) 170W (Tc) 350W (Tc) 190W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 150mOhm @ 11.5A, 10V 160mOhm @ 10.5A, 10V 130mOhm @ 15.5A, 10V 115mOhm @ 13.5A, 10V
temperatura di esercizio 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numero di prodotto di base STW28 STW28 STW29N STW30N
Serie FDmesh™ II MDmesh™ DM2 SuperMESH™ MDmesh™ II
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2090 pF @ 100 V 1500 pF @ 100 V 6110 pF @ 25 V 2740 pF @ 50 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Vgs (Max) ±25V ±25V ±30V ±25V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 23A (Tc) 21A (Tc) 31A (Tc) 27A (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Pacchetto Tube Tube Tube Tube

STW28NM60ND Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STW28NM60ND PDF e la documentazione STMicroelectronics per STW28NM60ND - STMicroelectronics.

PCN Obsolescence/ EOL
DK OBS NOTICE.pdf
PCN Design/Specifica
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblaggio/origine PCN
IPG/14/8475 16/May/2014.pdf
Schede tecniche
ST(B,F,P,W)28NM60ND Datasheet.pdf

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Europa Germania 5
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Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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