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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTW28NK60Z
STW28NK60Z Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STW28NK60Z - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STW28NK60Z
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STW28NK60Z
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 27A TO247-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
STW28NK60Z.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4570

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Specifiche

Specifiche tecnologiche STW28NK60Z
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STW28NK60Z, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STW28NK60Z

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 150µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3  
Serie SuperMESH™  
Rds On (max) a Id, Vgs 185mOhm @ 13.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 350W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6350 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 264 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 27A (Tc)  
Numero di prodotto di base STW28N  

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Proprietà del prodotto STW28NK60Z STW28N60DM2 STW28N60M2 STW29NK50Z
Modello di prodotti STW28NK60Z STW28N60DM2 STW28N60M2 STW29NK50Z
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Numero di prodotto di base STW28N STW28 STW28 STW29N
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 27A (Tc) 21A (Tc) 24A (Tc) 31A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6350 pF @ 25 V 1500 pF @ 100 V 1370 pF @ 100 V 6110 pF @ 25 V
Serie SuperMESH™ MDmesh™ DM2 MDmesh™ II Plus SuperMESH™
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 150µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 150µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 264 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V 37 nC @ 10 V 266 nC @ 10 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Dissipazione di potenza (max) 350W (Tc) 170W (Tc) 170W (Tc) 350W (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±30V ±25V ±25V ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 600 V 600 V 500 V
Rds On (max) a Id, Vgs 185mOhm @ 13.5A, 10V 160mOhm @ 10.5A, 10V 150mOhm @ 12A, 10V 130mOhm @ 15.5A, 10V

STW28NK60Z Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STW28NK60Z PDF e la documentazione STMicroelectronics per STW28NK60Z - STMicroelectronics.

Schede tecniche
STW28NK60Z.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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