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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTW240N10F7
STW240N10F7 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STW240N10F7 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STW240N10F7
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STW240N10F7
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 180A TO247
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
STW240N10F7.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3770

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STW240N10F7
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STW240N10F7, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STW240N10F7

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3  
Serie STripFET™ F7  
Rds On (max) a Id, Vgs 3mOhm @ 90A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 11550 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 160 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 180A (Tc)  
Numero di prodotto di base STW240  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STW240N10F7

Proprietà del prodotto STW240N10F7 STW22NM60N STW23NM60N STW24N60DM2
Modello di prodotti STW240N10F7 STW22NM60N STW23NM60N STW24N60DM2
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Serie STripFET™ F7 MDmesh™ II MDmesh™ II FDmesh™ II Plus
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc) 125W (Tc) 150W (Tc) 150W (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 160 nC @ 10 V 44 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 180A (Tc) 16A (Tc) 19A (Tc) 18A (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 11550 pF @ 25 V 1330 pF @ 50 V 2050 pF @ 50 V 1055 pF @ 100 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numero di prodotto di base STW240 STW22N STW23N STW24
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 600 V 600 V 600 V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±25V ±25V
Rds On (max) a Id, Vgs 3mOhm @ 90A, 10V 220mOhm @ 8A, 10V 180mOhm @ 9.5A, 10V 200mOhm @ 9A, 10V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

STW240N10F7 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STW240N10F7 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STW240N10F7 - STMicroelectronics.

PCN Design/Specifica
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblaggio/origine PCN
New Molding Compound 13/Sep/2019.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev OBS 2/Apr/2020.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STW240N10F7

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32D-STW240N10F7

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