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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTW23N85K5
STW23N85K5 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STW23N85K5 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STW23N85K5
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STW23N85K5
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 850V 19A TO247
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
STW23N85K5.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 9812

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STW23N85K5
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STW23N85K5, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STW23N85K5

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3  
Serie SuperMESH5™  
Rds On (max) a Id, Vgs 275mOhm @ 9.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1650 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 850 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 19A (Tc)  
Numero di prodotto di base STW23  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STW23N85K5

Proprietà del prodotto STW23N85K5 STW240N10F7 STW22NM60N STW24N60M2
Modello di prodotti STW23N85K5 STW240N10F7 STW22NM60N STW24N60M2
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1650 pF @ 100 V 11550 pF @ 25 V 1330 pF @ 50 V 1060 pF @ 100 V
Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc) 300W (Tc) 125W (Tc) 150W (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±25V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 100µA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Serie SuperMESH5™ STripFET™ F7 MDmesh™ II -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 19A (Tc) 180A (Tc) 16A (Tc) 18A (Tc)
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V 44 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V
Numero di prodotto di base STW23 STW240 STW22N -
temperatura di esercizio 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tensione drain-source (Vdss) 850 V 100 V 600 V 600 V
Rds On (max) a Id, Vgs 275mOhm @ 9.5A, 10V 3mOhm @ 90A, 10V 220mOhm @ 8A, 10V 190mOhm @ 9A, 10V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

STW23N85K5 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STW23N85K5 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STW23N85K5 - STMicroelectronics.

PCN Design/Specifica
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev OBS 3/Jul/2020.pdf Mult Dev Reinstate 6/Aug/2020.pdf
Assemblaggio/origine PCN
IPD/15/9124 20/Mar/2015.pdf
Schede tecniche
STW23N85K5.pdf

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Asia India 4
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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