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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTU95N2LH5
STMicroelectronics
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

STU95N2LH5 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STU95N2LH5
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STU95N2LH5
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 25V 80A IPAK
Pacchetto
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Scheda dati
STx95N2LH5.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 4970

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche STU95N2LH5
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STU95N2LH5, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STU95N2LH5

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-251 (IPAK)  
Serie STripFET™ V  
Rds On (max) a Id, Vgs 4.9mOhm @ 40A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 70W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1817 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13.4 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 25 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)  
Numero di prodotto di base STU95  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STU95N2LH5

Proprietà del prodotto STU95N2LH5 STU8NM50N STU9N65M2 STU9HN65M2
Modello di prodotti STU95N2LH5 STU8NM50N STU9N65M2 STU9HN65M2
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Dissipazione di potenza (max) 70W (Tc) 45W (Tc) 60W (Tc) 60W (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) ±25V ±25V ±25V ±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1817 pF @ 25 V 364 pF @ 50 V 315 pF @ 100 V 325 pF @ 100 V
Tensione drain-source (Vdss) 25 V 500 V 650 V 650 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13.4 nC @ 5 V 14 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V 11.5 nC @ 10 V
Rds On (max) a Id, Vgs 4.9mOhm @ 40A, 10V 790mOhm @ 2.5A, 10V 900mOhm @ 2.5A, 10V 820mOhm @ 2.5A, 10V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 10V 10V 10V
Numero di prodotto di base STU95 STU8N STU9N STU9H
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie STripFET™ V MDmesh™ II MDmesh™ MDmesh™ M2
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore dispositivo fornitore TO-251 (IPAK) I-PAK TO-251 (IPAK) TO-251 (IPAK)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc) 5A (Tc) 5A (Tc) 5.5A (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

STU95N2LH5 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STU95N2LH5 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STU95N2LH5 - STMicroelectronics.

Schede tecniche
STx95N2LH5.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Power MOSFET Transistors 29/Jul/2013.pdf

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America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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