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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTU85N3LH5
STU85N3LH5 Image
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STU85N3LH5 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STU85N3LH5
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STU85N3LH5
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 80A IPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Scheda dati
STx85N3LH5.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4880

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STU85N3LH5
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STU85N3LH5, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STU85N3LH5

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±22V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-251 (IPAK)  
Serie STripFET™ V  
Rds On (max) a Id, Vgs 5.4mOhm @ 40A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 70W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1850 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)  
Numero di prodotto di base STU85  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STU85N3LH5

Proprietà del prodotto STU85N3LH5 STU8N65M5 STU8N80K5 STU90N4F3
Modello di prodotti STU85N3LH5 STU8N65M5 STU8N80K5 STU90N4F3
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 5 V 15 nC @ 10 V 16.5 nC @ 10 V 54 nC @ 10 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 100µA 4V @ 250µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1850 pF @ 25 V 690 pF @ 100 V 450 pF @ 100 V 2200 pF @ 25 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
temperatura di esercizio 175°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 10V 10V 10V
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Contenitore dispositivo fornitore TO-251 (IPAK) TO-251 (IPAK) TO-251 (IPAK) I-PAK
Rds On (max) a Id, Vgs 5.4mOhm @ 40A, 10V 600mOhm @ 3.5A, 10V 950mOhm @ 3A, 10V 6.5mOhm @ 40A, 10V
Caratteristica FET - - - -
Serie STripFET™ V MDmesh™ V SuperMESH5™ STripFET™ III
Vgs (Max) ±22V ±25V ±30V ±20V
Dissipazione di potenza (max) 70W (Tc) 70W (Tc) 110W (Tc) 110W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc) 7A (Tc) 6A (Tc) 80A (Tc)
Numero di prodotto di base STU85 STU8N STU8N80 STU90
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 650 V 800 V 40 V

STU85N3LH5 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STU85N3LH5 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STU85N3LH5 - STMicroelectronics.

Packaging PCN
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf
Schede tecniche
STx85N3LH5.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev OBS 2/Apr/2020.pdf Mult Dev OBS 24/Mar/2020.pdf

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Giappone 4
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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