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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTT5PF20V
STT5PF20V Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

STT5PF20V - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STT5PF20V
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STT5PF20V
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 20V 5A SOT23-6
Pacchetto
SOT-23-6
Scheda dati
STT5PF20V.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 4750

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Specifiche

Specifiche tecnologiche STT5PF20V
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STT5PF20V, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STT5PF20V

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 450mV @ 250µA (Min)  
Vgs (Max) ±8V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-6  
Serie STripFET™ II  
Rds On (max) a Id, Vgs 80mOhm @ 2.5A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 1.6W (Tc)  
Contenitore / involucro SOT-23-6  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 412 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4.5 nC @ 2.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5A (Tc)  
Numero di prodotto di base STT5P  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STT5PF20V

Proprietà del prodotto STT5PF20V STT6N3LLH6 STT5N2VH5 STT4P3LLH6
Modello di prodotti STT5PF20V STT6N3LLH6 STT5N2VH5 STT4P3LLH6
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6
Numero di prodotto di base STT5P STT6N3 STT5N2 STT4P3
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5A (Tc) 6A (Tc) 5A (Tj) 4A (Ta)
Vgs (Max) ±8V ±20V ±8V ±20V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Dissipazione di potenza (max) 1.6W (Tc) 1.6W (Tc) 1.6W (Tc) 1.6W (Ta)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4.5 nC @ 2.5 V 3.6 nC @ 4.5 V 4.6 nC @ 4.5 V 6 nC @ 4.5 V
Contenitore / involucro SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 412 pF @ 15 V 283 pF @ 24 V 367 pF @ 16 V 639 pF @ 25 V
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 30 V 20 V 30 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Serie STripFET™ II DeepGATE™, STripFET™ VI STripFET™ V DeepGATE™, STripFET™ H6
Rds On (max) a Id, Vgs 80mOhm @ 2.5A, 4.5V 25mOhm @ 3A, 10V 30mOhm @ 2A, 4.5V 56mOhm @ 2A, 10V
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 450mV @ 250µA (Min) 1V @ 250µA 700mV @ 250µA (Min) 2.5V @ 250µA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V

STT5PF20V Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STT5PF20V PDF e la documentazione STMicroelectronics per STT5PF20V - STMicroelectronics.

Schede tecniche
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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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