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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTT4PF20V
STT4PF20V Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STT4PF20V - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STT4PF20V
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STT4PF20V
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 20V 3A SOT-23-6
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-23-6
Scheda dati
STT4PF20V.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4940

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Specifiche

Specifiche tecnologiche STT4PF20V
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STT4PF20V, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STT4PF20V

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 600mV @ 250µA (Min)  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-6  
Serie STripFET™ II  
Rds On (max) a Id, Vgs 110mOhm @ 1.5A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 1.6W (Tc)  
Contenitore / involucro SOT-23-6  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 500 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 7.8 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Tc)  
Numero di prodotto di base STT4P  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STT4PF20V

Proprietà del prodotto STT4PF20V STT4P3LLH6 STT3PF30L STT5PF20V
Modello di prodotti STT4PF20V STT4P3LLH6 STT3PF30L STT5PF20V
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Vgs (Max) ±10V ±20V ±16V ±8V
Caratteristica FET - - - -
Numero di prodotto di base STT4P STT4P3 STT3P STT5P
Vgs (th) (max) a Id 600mV @ 250µA (Min) 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 450mV @ 250µA (Min)
Contenitore / involucro SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Tc) 4A (Ta) 2.4A (Tc) 5A (Tc)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 500 pF @ 15 V 639 pF @ 25 V 420 pF @ 25 V 412 pF @ 15 V
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 30 V 30 V 20 V
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6
Serie STripFET™ II DeepGATE™, STripFET™ H6 STripFET™ II STripFET™ II
Dissipazione di potenza (max) 1.6W (Tc) 1.6W (Ta) 1.6W (Tc) 1.6W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 7.8 nC @ 4.5 V 6 nC @ 4.5 V 7 nC @ 4.5 V 4.5 nC @ 2.5 V
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 110mOhm @ 1.5A, 4.5V 56mOhm @ 2A, 10V 165mOhm @ 1.5A, 10V 80mOhm @ 2.5A, 4.5V

STT4PF20V Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STT4PF20V PDF e la documentazione STMicroelectronics per STT4PF20V - STMicroelectronics.

Schede tecniche
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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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